# 填充阵列
将一实体或特征在填充边界内按照阵列布局生成有限个复制实体或特征。
点击工具栏
中，打开填充阵列命令对话框，其命令界面如下图所示。
填充阵列命令分为两个命令页：实体阵列、特征阵列，对应两种阵列方式：
# 实体阵列
实体：拾取需要阵列操作的实体。
填充边界：拾取一个封闭区域作为阵列边界。
注意
边界为封闭的平面草图、平面状的实体表面或曲面，填充边界所在平面需与实体相交或重合。
- 阵列布局：用于设置阵列实例的分布样式，有两种选项，分别是“穿孔”和“圆周”。
穿孔：常用于钣金穿孔的一种布局方式，通过源所在位置做一些与所选方向呈一定角度的辅助线，实例分布在这些线的交点处。
- 实例间距： 设定实例中心间的距离；
- 角度：设定阵列实例与所选方向的角度；
- 边距：向内偏移收缩边界范围的距离；
- 方向：以此方向与角度配合作为阵列的排列方向。
注意
可以拾取草图线、两个点、实体边线或参考基准线作为方向依据。
- 实例数：实时显示当前设置参数下，边界内生成实例的数量（包括源），仅做显示，不可修改。
圆周：以源为中心向外扩展多个圆形，实例分布在圆形边线上。
环间距：设定圆之间的“偏移”距离；
实例间距：此项和“每环实例数”二选一，输入每个圆上实例的数量;
边距：同“穿孔”边距；
方向：设置阵列方向参考;
注意
选择方向后，从源所在位置出发沿方向与每个圆相交的点作为每个圆上第一个实例的所在位置
- 实例数：实时显示当前设置参数下，边界内生成实例的数量（包括源），仅做显示，不可修改;
实例数=阵列环数*每环实例数，当设置实例间距时，每环实例数计算规则如下:
- 跳过实例：勾选后，在阵列预览中选择要跳过的模型，不生成该模型。
示例： 阵列布局选择“穿孔”，设置参数后，如下图所示效果。
示例： 阵列布局选择“圆周”，设置参数后，实体阵列效果如下图所示。
# 特征阵列
特征：拾取需要阵列复制的特征，可多选。
填充边界：拾取一个封闭区域作为阵列边界。
注意
边界为封闭的平面草图、平面状的实体表面或曲面，填充边界所在平面需与实体相交或重合。
- 阵列布局：用于设置阵列实例的分布样式，有两种选项，分别是“穿孔”和“圆周”。
穿孔：常用于钣金穿孔的一种布局方式，通过源所在位置做一些与所选方向呈一定角度的辅助线，实例分布在这些线的交点处。
- 实例间距： 设定实例中心间的距离；
- 角度：设定阵列实例与所选方向的角度；
- 边距：向内偏移收缩边界范围的距离；
- 方向：以此方向与角度配合作为阵列的排列方向。
注意
可以拾取草图线、两个点、实体边线或参考基准线作为方向依据。
- 实例数：实时显示当前设置参数下，边界内生成实例的数量（包括源），仅做显示，不可修改。
圆周：以源为中心向外扩展多个圆形，实例分布在圆形边线上。
- 环间距：设定圆之间的“偏移”距离；
- 实例间距：此项和“每环实例数”二选一，输入每个圆上实例的数量；
- 边距：同“穿孔”边距；
- 方向：设置阵列方向参考：
注意
选择方向后，从源所在位置出发沿方向与每个圆相交的点作为每个圆上第一个实例的所在位置
- 实例数：实时显示当前设置参数下，边界内生成实例的数量（包括源），仅做显示，不可修改。
实例数=阵列环数*每环实例数
跳过实例：勾选后，在阵列预览中选择要跳过的模型，不生成该模型。
示例：：阵列布局选择“穿孔”，设置参数后，特征阵列效果如下图所示。
示例： 阵列布局选择“圆周”，设置参数后，特征阵列效果如下图所示。
